华金证券:国内存储原厂扩产有序推进 国家三期大基金落地有望催化产业链

随着AI应用需求持续释放,“先进存力”建设势在必行,存储芯片或成为国家大基金三期的重点投资对象。

智通财经APP获悉,华金证券发布研报称,近日,国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司已正式成立,注册资本高达3440亿人民币。随着AI应用需求持续释放,“先进存力”建设势在必行,存储芯片或成为国家大基金三期的重点投资对象。当前国内存储原厂扩产项目正有序推进,稼动率亦稳步提升,在国家大基金三期的政策加速催化下,存储产业链相关的设备、材料等厂商迎来黄金发展机遇。建议关注存储产业链相关标的:东芯股份(688110.SH),兆易创新(603986.SH),北京君正(300223.SZ),江波龙(301308.SZ),德明利(001309.SZ),普冉股份(688766.SH)等。

华金证券主要观点如下:

弱需求致短期现货市场承压,AI手机/AIPC存储容量提升拉动存储需求

具体看本周存储价格(截至5月28日11:00),根据CFM数据,1)FlashWafer:本周FlashWafer价格维持不变。2)DDR:DDR416Gb3200/eTT和8GbeTT价格小幅下跌。3)渠道市场:渠道市场仍处于去库存阶段,本周渠道内存价格下调,降幅在4%~5%;渠道SSD价格持平。4)行业市场:小单询单有所增加,但大单依然较少,市场普遍谨慎观望,按需备货灵活应对,本周行业SSD价格维持不变,行业内存小幅下跌。5)嵌入式:原厂稀缺资源供应持续紧张,eMCP/LPDDR/UFS/uMCP价格维持不变,仅部分eMMC价格出现小幅下调。

CFM指出,虽然原厂资源及成品端价格仍然较高,但除原厂外的消费类品牌价格普遍出现回调,传统PC市场短期难以摆脱增长乏力的困境,受弱需求冲击存储现货市场信心不足,贸易端变现压力较重,渠道消耗库存动作明显,短期存储现货行情将持续承压。华金证券预计,24H2随着AI手机和AIPC的发布,存储容量会显著提升,进而带动存储需求。

涨价叠加供需改善推动,24Q1存储原厂业绩表现亮眼

受益于AI需求强劲增长,服务器eSSD、DDR5及HBM需求旺盛,加之NAND制程切换及DDR5产品迭代,服务器存储芯片供需紧张。同时,三星、SK海力士及美光等原厂积极转产或增产高利润的HBM,持续挤占传统存储芯片产能,加速存储产业链供需回归平衡。根据CFM数据,24Q1全球存储市场规模达339亿美元,同比增长86%,环比增长15%。在涨价叠加供需改善的推动下,24Q1存储原厂的存储收入同环比均回升;利润端,继23Q4仅SK海力士一家经营利润扭亏为盈、其余四家原厂(三星、美光、西数、铠侠)均处于亏损状态之后,24Q1五大原厂均实现扭亏为盈。

NAND方面,CFM数据显示,24Q1全球NAND市场规模达152亿美元,同比增长74%,环比增长24%。NAND均价在24Q1呈20%~30%的大幅上涨,其中三星、SK海力士和美光价格环比增速均在30%左右。

DRAM方面,CFM数据显示,24Q1全球DRAM市场规模达到188亿美元,同比增长97%,环比增长9%。受益于DRAM价格的全面回升,以及HBM、DDR5等产品的出货增长,原厂DRAM营收延续增长势头;其中SK海力士和三星价格环比上涨幅度均在20%左右,美光价格环比增速超10%。

原厂产能转向高附加值产品以及需求复苏,利基存储市场有望加速回暖

24Q2以来部分国内互联网厂商向原厂紧急加单HBM和DDR5产品,同时由于HBM产线已切换成HBM3/3E先进制程,针对客户HBM2E的急单需求,部分原厂只能紧急加开产线并将部分DDR4产线切换成HBM2E;预计至2024年底,原厂约80%DRAM产能切换至DDR5,DDR4供应或陷入短缺。

根据ITHome消息,三星和SK海力士预计在24H2退役其DDR3产线。考虑到美光和南亚当前DDR3产量有限,两大原厂退出或将推高DDR3价格。兆易创新表示SLCNAND需求回暖和价格上涨约比利基DRAM晚一个季度,而NOR供需已回归平衡。华金证券认为,随着AI手机等端侧AI的普及和应用,以及AR/VR等新兴技术赋能可穿戴类产品刺激需求,NORFlash有望步入上行周期。

风险提示:下游需求复苏低于预期,终端去库存效果低于预期,相关厂商研发进程不及预期,基金出资方出资金额实缴到位进度不及预期,系统性风险等。

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