英特尔(INTC.US)公布全新工艺节点命名以及制程规划

智通财经APP获悉，英特尔(INTC.US)于当地时间7月26日发布了该公司迄今为止最详细的工艺制程和封装技术路线图，并展示了2025年及以后驱动产品的基础技术。该公司正升级其半导体工艺节点的名称(比如英特尔7纳米工艺节点将直接命名为“英特尔7”)，以形成清晰且一致的框架，使客户更准确地了解整个行业的工艺节点。

在发布会上英特尔表示，英特尔7将成为10纳米增强型SuperFin工艺节点的新名称，它的每瓦特性能比10纳米SuperFin提高了10-15%。据悉，英特尔7将在2021年第二季度面向客户的Alder Lake和最近推迟的数据中心解决方案Sapphire Rapids等产品中亮相，该解决方案将于明年初投产。

英特尔4将成为下一个工艺节点，英特尔4工艺将是英特尔第一个全面使用先进的极紫外(EUV)光刻技术的工艺制程。英特尔4将于2022年下半年投产，正式产品将于2023年发货，包括面向客户的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

英特尔3将紧随其后，每瓦特性能比英特尔4提高18%，预计将在2023年下半年为生产英特尔3做好准备。

英特尔还宣布了两项新的工艺技术:RibbonFET以及PowerVia，前者是该公司十多年来的首个新型晶体管架构，后者是一种新的背面功率传输方法。这些技术属于英特尔20A工艺节点，预计将在2024年逐步普及。英特尔正目前在与高通(QCOM.US)合作20A工艺制程。

到2025年及以后，英特尔18A将在2025年初开发，并对RibbonFET进行升级改造。英特尔还将与极紫外(EUV)光刻机供应商阿斯麦(ASML.US)密切合作，共同定义、开发和部署下一代EUV光刻系统。

对于英特尔代工服务方面的业务，英特尔宣布亚马逊(AMZN.US)旗下AWS将成为第一个使用IFS封装解决方案的客户。

据悉，英特尔上周曾表示，随着产品的不断增加，7纳米工艺正蓄势待发，但成本端压力仍然很大，再加上全球芯片短缺且产能有限，这将在2021年下半年压低英特尔的毛利率。