智通财经APP获悉,随着华为、苹果、小米等多品牌新机密集上市,消费电子产业加速回暖。中国信通院最新数据显示,2023年9月,国内市场手机出货量3327.7万部,同比增长59.0%,其中,5G手机2871.7万部,同比增长90.1%。中信建投研报也表示,伴随经济复苏及头部品牌的拉动,整个消费电子市场逐渐呈现复苏迹象。相关标的:瑞声科技(02018)、中国软件国际(00354)、丘钛科技(01478)、中芯国际(00981)。
近一段时间,苹果、华为、小米等大厂新品接连发布,消费电子旺季来临。苹果9月13日召开iPhone 15发布会,此前华为推出HUAWEI Mate 60,高端手机畅销市场。安卓系统龙头厂家小米也提前发布新机。竞争压力下,小米14于10月26日提前发布,这比计划提前了两个月。
随着各品牌新品的不断发布,消费者购机意愿被充分调动。根据Counterpoint Research最新一期的智能手机360周报显示,中国智能手机市场正在呈现出复苏迹象,10月的前四周平均同比增长了11%。
中国信通院数据显示,2023年9月,国内市场手机出货量3327.7万部,同比增长59.0%,其中,5G手机2871.7万部,同比增长90.1%,占同期手机出货量的86.3%。
随着消费电子板块奏出复苏“强音”,相关上市公司也在三季报中传来喜讯。
深市消费电子公司立讯精密发布三季度报告,得益于消费电子、汽车互联、通讯互联等领域的营收有较大幅度增长,公司第三季度实现利润30.18亿元,同比增长15.37%,前三季度实现利润73.74亿元,同比增长15.22%。同时,公司预计2023年净利润为107.67亿元至112.25亿元,同比增长17.5%至22.5%。
立讯精密董事长、总经理王来春在10月22日接受投资者调研时表示,以公司前9个月的情况来看,大客户以外的国内外消费电子业务还增长了10%至20%。所以未来在大客户以外的消费电子业务方面,我们预期每年会超市场平均水平以两位数百分比增长。
国金证券表示,消费电子行业第三季度业绩改善明显,消费电子的需求正在回暖。AI赋能消费电子,有望带来新的换机需求,后续看好AI新技术驱动,以及自主可控受益的产业链公司。
中信建投研报也表示,今年以来,消费电子板块逐步回暖,尤其近期受华为产业链概念影响,消费电子板块表现强势。华为此前发布新机后,在消费电子产业链掀起了一波备货热潮,同时苹果iPhone15系列等手机新品带动下,产业链浮现出更多回暖信号。
伴随经济复苏及头部品牌的拉动,整个消费市场逐渐呈现复苏迹象。消费电子板块估值水平整体较低,修复空间大。基于产业链业绩逐季改善、需求有望逐渐走出低谷,看好自主可控+技术创新带来的消费电子板块新一轮成长。
展望后续,在不少业内人士看来,未来依托于AI、大模型等技术性的创新,可为行业带来更长久的繁荣。
短期来看,国信证券认为,消费电子的备货旺季已经正式拉开序幕,手机面板、存储、被动件等细分行业数据全面升温。尽管当前复苏信号仍然集中在供给备货层面,后续多个促销旺季的销售数据,以及AI手机、苹果MR等新品推出所体现的创新和成长性将成为消费电子行情延续的关键。
中长期来看,长江证券研报指出,随着头部厂商不断推出科技新品,叠加价格上涨、订单回暖等因素,消费电子产业链的复苏逻辑得到强化。正如上一轮5G创新周期最开始先由2019年“基建先行”,向2020年“换机周期”加速转变。2023年AI创新周期由光模块、服务器的“B端付费”正在向2024年消费电子“C端付费”进行转变。
相关概念股:
瑞声科技(02018):瑞声拥有25个销售中心,5大制造基地(中国深圳,常州,沭阳,苏州,越南),以及分别在中国,美国,芬兰,丹麦,韩国,日本和新加坡设立的14个研发中心,2016年营收155亿人民币。瑞声科技为华为手机提供声学元件包括扬声器和听筒等产品。
中国软件国际(00354):公司深度参与华为消费者终端、鸿蒙、AI大模型、MetaERP等核心业务,通过多年合作,华为业务已经成为公司营收的“半壁江山”。中软国际深度参与鸿蒙研发落地和更新迭代,对鸿蒙系统有着代码级理解,亦是HDC鸿蒙生态合作中唯一的签约IT服务公司,可以说是鸿蒙生态中最根正苗红的软件服务商。根据市场上活跃度较高的100万个APP应用来测算,单是鸿蒙生态迁移就有望让中软国际触达高达200亿的增量市场空间。
丘钛科技(01478):华为最新旗舰机型 Mate 30,P40pro,Vivo双模5G旗舰手机X30的部分摄像头模组由丘钛科技生产。
中芯国际(00981):华为新推出的Mate 60 Pro智能手机采用了中国中芯国际生产的先进芯片。有猜测称麒麟9000S芯片是利用中芯国际和芯动科技自主研发的FinFET N+1技术完成了芯片的设计。中芯国际作为中国唯一能够量产14纳米FinFET工艺的公司,它的N+1和N+2工艺均源于14纳米FinFET技术的进一步优化。