中泰证券存储板块三季报总结:营收持续环比改善 重点关注价格变化

储赛道三重逻辑共振,涨价+国产化+AI创新,属于板块性机会,再次建议重点关注。

智通财经APP获悉,中泰证券发布研究报告称,23Q3存储板块公司营收整体继续环增、毛利率迎来拐点环比改善,其中模组营收和毛利率改善程度优于设计。海外方面,23Q3营收整体继续环增,受益主流存储涨价叠加DDR5、HBM等高附加值产品出货量增加,主流存储IDM毛利率改善,但利基存储IDM毛利率继续承压,库存持续去化。10月存储合约价首次全线上涨,该行认为存储价格拐点已至,储赛道三重逻辑共振,涨价+国产化+AI创新,属于板块性机会,再次建议重点关注。

中泰证券观点如下:

大陆情况:23Q3营收整体继续环增、毛利率迎来拐点环比改善,其中模组营收和毛利率改善程度优于设计。

该行重点分析了大陆14家存储板块公司2023单三季度财务情况,其中6家存储设计(兆易、君正、普冉、东芯、聚辰、恒烁),4家存储模组(江波龙、佰维、德明利和朗科),2家代理(香农和中电港),1家封测(深科技)和1家其他设计(澜起科技)。6家存储设计公司均是利基存储厂商,其他8家均为主流存储相关厂商。该行从营收、盈利能力和存货角度重点分析存储设计和模组板块。

1)板块成分股:设计板块中兆易和君正营收合计占比79%,23Q3兆易占比43%,君正占比36%;模组板块中,23Q3江波龙占比61%。佰维存储占比21%,江波龙和佰维存储营收占比合计84%,江波龙对板块趋势影响大。

2)营收:23Q3营收整体持续环增,模组环增幅度大于设计。23Q3 14家公司中10家公司营收环增,整体延续Q2环增趋势,Q3环增幅度4%~35%不等;从营收环增幅度看,4家模组中3家营收环增,环比变化+29%~+34%,仅朗科环比-9%,6家存储设计公司中,4家营收环增,环比变化+4%~+14%,兆易和聚辰营收环比-12%和-17%;模组公司营收同比在Q3率先转正,设计公司营收同比降幅收窄。

3)毛利率:23Q3设计和模组毛利率首次环增,设计毛利率高于模组,但模组毛利率改善幅度整体大于设计。23Q3设计板块毛利率34%,模组板块毛利率4%,设计毛利率高于模组,设计公司毛利率8%~44%不等,分化较大,模组公司毛利率-2%~6%,差异较小。14家公司中8家公司23Q3毛利率环增,其中设计板块毛利率环比+3%,6家设计公司中3家毛利率环增,环比+1~+7pcts;模组板块毛利率环比+4pcts,4家模组公司毛利率环增,朗科环比持平,另外3家毛利率环比+3~8pcts。Q3利基存储未涨价、主流存储产品价格有所上涨,设计公司毛利率改善主要是因为晶圆成本下降及产品结构调整,模组公司毛利率改善主要是因为涨价。

4)净利润:23Q3业绩承压,模组亏损幅度收窄,设计盈利能力分化。23Q3 14家公司中7家公司亏损,其中4家模组公司全部处于亏损状态,Q3亏损幅度整体收窄,6家设计公司盈利能力分化,兆易、聚辰净利润为正,东芯、普冉和恒烁利润为负,其中普冉亏损幅度收窄。

5)存货:设计和模组存货趋势相反,设计公司存货连续2个季度下降、但仍处较高位位置,模组公司存货连续3个季度上升。14家公司中8家公司存货上升,4家模组公司存货均上升,其中德明利存货周转天数高达339天,设计公司存货情况有所分化。

海外情况:23Q3营收整体继续环增,受益主流存储涨价叠加DDR5、HBM等高附加值产品出货量增加,主流存储IDM毛利率改善,但利基存储IDM毛利率继续承压,库存持续去化。

非大陆存储,重点分析7家IDM厂商三季报,其中三大原厂和铠侠为主流存储IDM,华邦、旺宏和南亚为利基存储IDM。

1)营收:23Q3营收继续环增,主流存储厂商营收环增幅度大于利基存储厂商。整体营收环增(除旺宏环比-5%外),环比+1%~+24%,其中主流存储厂商环比+3%~+24%,利基存储+1%~+7%,其中海力士环增幅度亮眼,环比+24%。

2)毛利率:23Q3毛利率趋势分化,主流存储厂商毛利率环增,利基存储毛利率未见改善、环比向下。除三星外,三家公司毛利率-25%~32%,差异较大,其中美光和南亚为负毛利率,海力士毛利率转正,华邦和旺宏毛利率为32%/24%。从毛利率环比变化看,海力士、美光毛利率环比+17pcts、+7pcts,南亚和旺宏毛利率环比-4pcts和-14pcts,华邦毛利率环平,三大主流存储原厂毛利率改善程度大于利基存储原厂,主要系主流存储价格Q3开始上涨,同时DDR5、HBM等高附加值产品出货量增加改善毛利率。(注:海外厂商存货跌价损失计入毛利率)。

3)净利润:23Q3净利润趋势分化,主流存储厂商净利润仍处亏损、但亏损明显收窄,利基存储厂商净利润转亏。除去三星,剩余3个主流存储厂商仍处于较大亏损状态,但亏损幅度较Q2收窄,南亚Q3亏损幅度扩大,华邦和旺宏转亏,主要系Q2微利,Q3毛利率没有改善,Q3净利润压力加大。(Q3利基存储未涨价,大陆利基存储设计公司毛利率改善是来自Fabless模式,中国台湾利基存储采用IDM模式,稼动率拖累毛利率水平,故毛利率环比向下,与大陆产生差异)。

4)存货:23Q3存货下降趋势,7家公司存货周转天数130~280天不等,处于较高水平。

10月存储合约价首次全线上涨,存储价格拐点已至。

1)10月合约价:DRAM连续几月止跌后,首次全线上涨,DDR2合约价涨幅2-3%,DDR3涨幅3-5%,DDR4涨幅6-15%,DDR5涨幅11-12%;NAND MLC全线上涨,涨幅1-2%,SLC全线止跌。

2)11/06-11/10的现货价:DRAM颗粒周变化-6%~+2%,8个料号周价格上涨(其中DDR4 16Gb、DDR4 8Gb、DDR4 4Gb 8个料号涨幅0.5%~3%)。NAND颗粒周变化-2%~+1%, NAND wafer周变化0%~+7%,512Gb TLC wafer自9月中旬已上涨+52%,本周较上周+7%。

投资建议:

储赛道三重逻辑共振,涨价+国产化+AI创新,属于板块性机会,再次建议重点关注,相关标的:

1)HBM产业链:香农芯创(300475.SZ)、赛腾股份(603283.SH)、联瑞新材(688300.SH)等

2)弹性模组端:德明利(001309.SZ)、江波龙(301308.SZ)、佰维存储(688525.SH)等

3)上游设计端:兆易创新(603986.SH)、东芯股份(688110.SH)、普冉股份(688766.SH)等

风险提示:1)下游需求不及预期;2)新建产能不及预期;3)行业竞争加剧;4)研报使用信息数据更新不及时风险。

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