中信证券:流存储涨势持续 利基存储涨势初显 看好国内存储产业链投资机遇

作者: 智通财经 汪婕 2023-12-06 08:40:34
中信证券发布研报表示,行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,并在Q4带动利基存储价格触底回升。

智通财经APP获悉,中信证券发布研报表示,行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,并在Q4带动利基存储价格触底回升,该行看好产业链细分龙头23Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

中信证券指出,产业链公司Q3业绩均有所修复,主流、利基存储价格齐涨,持续关注原厂库存去化进程和下游需求复苏节奏对存储价格的影响。行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,并在Q4带动利基存储价格触底回升。建议关注:1)存储模组;2)受益DDR5升级渗透的存储配套芯片;3)存储芯片设计。

中信证券的主要观点如下:

DRAM方面:10月DRAM价格全线上涨,环比+2.00%~+7.69%,本轮高点21年(3-6月)至23年(7-9月)低点累计跌幅为69%~86%,触底以来累计涨幅为5%~35%。

高端DRAM(DDR5-8Gb-1Gx8)合约价格10月涨幅2.96%,主流DRAM(DDR4)价格均上涨,10月涨幅5.26%~7.69%(9月涨跌幅-1.04% ~+18.18%),利基DRAM(DDR3)价格涨幅在2.00%~3.85%(9月涨幅5.26% ~23.81%),价格全面上涨;而进入11月第二、三周,DDR4部分产品价格出现周度回调。目前尽管市场仍供过于求,然原厂控产意愿坚定,该行认为DRAM价格涨幅和持续性仍取决于实际需求恢复程度。根据TrendForce,23Q3 DRAM跌幅收缩至0~5%;预计23Q4 DRAM合约价将止跌回升,涨幅为3~8%,预计下游DDR5涨幅将超过DDR4,其中Mobile DRAM LPDDR5(X)供应略显紧张,涨幅预计将达5%~10%,超过平均涨幅。

NAND Flash方面:10月NAND Flash价格持续回升,环比0.00%~+17.68%(512Gb价格连续4个月环比上涨,256Gb价格连续2个月环比上涨,128Gb价格未更新),本轮高点21年(8月)至23年(7-8月)累计跌幅为47%~72%,触底以来累计涨幅为0%~53%。

根据Bloomberg,TLC闪存512Gb价格从6月的1.39美元上涨至10月的2.13美元,涨幅达53%,进入11月,前两周TLC闪存256/512Gb现货价格仍在持续上涨;MLC闪存64/128Gb合约价格也已自8月起连续上涨2个月,自低点涨幅超20%。根据TrendForce,由于原厂严格控制产能,预计NAND Flash第四季合约价有望全面起涨,涨幅约8%~13%,其中3D NAND Wafer涨幅将达13%~18%。

存储模组方面:10月多数存储模组产品价格出现上涨,11月SSD、移动存储继续上涨,内存条价格部分回调,本轮高点22年3月至23年11月21日累计跌幅为45%~64%(SSD&DDR4),触底以来累计涨幅为2%~62%(SSD& DDR4&UFS&eMMC)。

整体来看,模组产品单价Q4继续修复,但略有分化。该行认为随下游需求复苏,同时原厂积极限产、上游Wafer价格回升,模组环节盈利水平有望持续修复。

价格传导分析:模组端现货&渠道市场更容易放大供需趋势转变,10月整体续涨但有所降温。

8月末起,晶圆端涨价开始传导至模组端,根据CFM闪存市场,SSD、eMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨,并延续到10-11月。展望后续,该行预计12月部分紧缺且对应下游需求复苏较早的产品涨价将持续,然整体需求恢复仍较缓慢,涨幅或相对收窄。该行认为,Wafer合约价格在本轮周期复苏和涨价中表现相对温和,且具备持续性,对行业整体供需关系的趋势判断更具参考意义。该行预计23Q4 NAND各环节涨价将延续;随各原厂持续减产DDR4、行业库存去化、下游服务器市场复苏,预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。

中国台湾厂商高频数据:

10月中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同环比分化:旺宏10月营收同比-42%,环比-13%;华邦电10月营收同比+1%,环比-7%;南亚科10月营收同比-4%,环比-2%;力积电10月营收同比-33%,环比+10%。

供给端:原厂CY23Q4-CY24展望乐观,CY23Q4或成为行业稼动低点,库存去化为关键。

回顾CY23Q3,各原厂营收环比均取得增长,毛利率持续回升,验证行业已进入上行周期;美光科技、西部数据对CY23Q4展望积极,营收、毛利率水平有望进一步回升。稼动率来看,TrendForce预计FY23Q4为全行业稼动率低点(75%),FY24将逐季回升。该行认为,海外大厂2023年稼动控制意愿坚定,年内存储供需关系已逐渐改善,而三星、SK海力士CY23Q3库存仍处高位,后续看好低稼动带来的库存去化加速、以及各下游先后复苏带动存储景气度于2024年持续回升。HBM方面,NVIDIA计划引入更多的HBM供应商,其中三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完成验证,届时SK海力士独供格局或将被打破。目前,三家原厂均已送样HBM3e至NVIDIA,预期24Q1先后完成验证。

需求端:消费电子需求转正、库存见底,下游客户拉货积极;服务器、PC市场复苏渐进。

IoT品类中,海外市场及低阶产品需求较好,Q3下游客户持续拉货;手机品类受益下半年新机集中发布,叠加23H1供应链库存去化顺利,下游多数品牌客户Q3拉货积极;PC 23Q3库存持续去化,需求复苏渐进;传统服务器行业仍处于库存去化阶段。该行看好24年各下游需求回暖趋势:

1)服务器端:该行预计随宏观环境回暖,北美云厂商恢复资本开支,供应链库存去化完毕,叠加AI服务器维持高增速,2024年全球服务器出货量有望实现低单位数增长;看好DDR5在服务器端需求提升;

2)PC端:该行预计23Q4起需求转正,2023/24年全球PC出货量分别同比-12%/+7%;

3)手机端:该行预计2023年全球/中国智能手机出货量同比分别-5%/-3%;预计2024年全球/中国出货量同比+5%/+5%,呈现温和但明确的底部回升态势;

4)IoT端:2024年受益新品发布和宏观经济回暖,出货量有望保持增长,该行预测2023/24年全球TWS耳机出货量分别同比+2%/+7%,2023/24年全球智能手表出货量分别同比+5%/+6%。

5)汽车&工业端:该行预计行业库存及需求有望在2024年逐步改善。

风险因素:

下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。

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