中信证券：流存储涨势持续 利基存储涨势初显 看好国内存储产业链投资机遇

智通财经APP获悉，中信证券发布研报表示，行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格23Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升，该行看好产业链细分龙头23Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

中信证券指出，产业链公司Q3业绩均有所修复，主流、利基存储价格齐涨，持续关注原厂库存去化进程和下游需求复苏节奏对存储价格的影响。行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格23Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升。建议关注：1）存储模组；2）受益DDR5升级渗透的存储配套芯片；3）存储芯片设计。

中信证券的主要观点如下：

DRAM方面：10月DRAM价格全线上涨，环比+2.00%~+7.69%，本轮高点21年（3-6月）至23年（7-9月）低点累计跌幅为69%~86%，触底以来累计涨幅为5%~35%。

高端DRAM(DDR5-8Gb-1Gx8)合约价格10月涨幅2.96%，主流DRAM(DDR4)价格均上涨，10月涨幅5.26%~7.69%（9月涨跌幅-1.04% ~+18.18%），利基DRAM(DDR3)价格涨幅在2.00%~3.85%（9月涨幅5.26% ~23.81%），价格全面上涨；而进入11月第二、三周，DDR4部分产品价格出现周度回调。目前尽管市场仍供过于求，然原厂控产意愿坚定，该行认为DRAM价格涨幅和持续性仍取决于实际需求恢复程度。根据TrendForce，23Q3 DRAM跌幅收缩至0~5%；预计23Q4 DRAM合约价将止跌回升，涨幅为3~8%，预计下游DDR5涨幅将超过DDR4，其中Mobile DRAM LPDDR5(X)供应略显紧张，涨幅预计将达5%~10%，超过平均涨幅。

NAND Flash方面：10月NAND Flash价格持续回升，环比0.00%~+17.68%（512Gb价格连续4个月环比上涨，256Gb价格连续2个月环比上涨，128Gb价格未更新），本轮高点21年（8月）至23年（7-8月）累计跌幅为47%~72%，触底以来累计涨幅为0%~53%。

根据Bloomberg，TLC闪存512Gb价格从6月的1.39美元上涨至10月的2.13美元，涨幅达53%，进入11月,前两周TLC闪存256/512Gb现货价格仍在持续上涨；MLC闪存64/128Gb合约价格也已自8月起连续上涨2个月，自低点涨幅超20%。根据TrendForce，由于原厂严格控制产能，预计NAND Flash第四季合约价有望全面起涨，涨幅约8%~13%，其中3D NAND Wafer涨幅将达13%~18%。

存储模组方面：10月多数存储模组产品价格出现上涨，11月SSD、移动存储继续上涨，内存条价格部分回调，本轮高点22年3月至23年11月21日累计跌幅为45%~64%（SSD&DDR4），触底以来累计涨幅为2%~62%（SSD& DDR4&UFS&eMMC）。

整体来看，模组产品单价Q4继续修复，但略有分化。该行认为随下游需求复苏，同时原厂积极限产、上游Wafer价格回升，模组环节盈利水平有望持续修复。

价格传导分析：模组端现货&渠道市场更容易放大供需趋势转变，10月整体续涨但有所降温。

8月末起，晶圆端涨价开始传导至模组端，根据CFM闪存市场，SSD、eMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨，并延续到10-11月。展望后续，该行预计12月部分紧缺且对应下游需求复苏较早的产品涨价将持续，然整体需求恢复仍较缓慢，涨幅或相对收窄。该行认为，Wafer合约价格在本轮周期复苏和涨价中表现相对温和，且具备持续性，对行业整体供需关系的趋势判断更具参考意义。该行预计23Q4 NAND各环节涨价将延续；随各原厂持续减产DDR4、行业库存去化、下游服务器市场复苏，预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。

中国台湾厂商高频数据：

10月中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同环比分化：旺宏10月营收同比-42%，环比-13%；华邦电10月营收同比+1%，环比-7%；南亚科10月营收同比-4%，环比-2%；力积电10月营收同比-33%，环比+10%。

供给端：原厂CY23Q4-CY24展望乐观，CY23Q4或成为行业稼动低点，库存去化为关键。

回顾CY23Q3，各原厂营收环比均取得增长，毛利率持续回升，验证行业已进入上行周期；美光科技、西部数据对CY23Q4展望积极，营收、毛利率水平有望进一步回升。稼动率来看，TrendForce预计FY23Q4为全行业稼动率低点（75%），FY24将逐季回升。该行认为，海外大厂2023年稼动控制意愿坚定，年内存储供需关系已逐渐改善，而三星、SK海力士CY23Q3库存仍处高位，后续看好低稼动带来的库存去化加速、以及各下游先后复苏带动存储景气度于2024年持续回升。HBM方面，NVIDIA计划引入更多的HBM供应商，其中三星的HBM3（24GB）预期于今年12月在NVIDIA完成验证，届时SK海力士独供格局或将被打破。目前，三家原厂均已送样HBM3e至NVIDIA，预期24Q1先后完成验证。

需求端：消费电子需求转正、库存见底，下游客户拉货积极；服务器、PC市场复苏渐进。

IoT品类中，海外市场及低阶产品需求较好，Q3下游客户持续拉货；手机品类受益下半年新机集中发布，叠加23H1供应链库存去化顺利，下游多数品牌客户Q3拉货积极；PC 23Q3库存持续去化，需求复苏渐进；传统服务器行业仍处于库存去化阶段。该行看好24年各下游需求回暖趋势：

1）服务器端：该行预计随宏观环境回暖，北美云厂商恢复资本开支，供应链库存去化完毕，叠加AI服务器维持高增速，2024年全球服务器出货量有望实现低单位数增长；看好DDR5在服务器端需求提升；

2）PC端：该行预计23Q4起需求转正，2023/24年全球PC出货量分别同比-12%/+7%；

3）手机端：该行预计2023年全球/中国智能手机出货量同比分别-5%/-3%；预计2024年全球/中国出货量同比+5%/+5%，呈现温和但明确的底部回升态势；

4）IoT端：2024年受益新品发布和宏观经济回暖，出货量有望保持增长，该行预测2023/24年全球TWS耳机出货量分别同比+2%/+7%，2023/24年全球智能手表出货量分别同比+5%/+6%。

5）汽车&工业端：该行预计行业库存及需求有望在2024年逐步改善。

风险因素：

下游需求复苏不及预期；芯片价格持续下跌；行业竞争加剧；新技术研发进展缓慢；国际地缘政治冲突等。