加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

作者: 智通转载 2024-01-27 07:49:35
SK海力士将扩大HBE生产设施投资,对通过硅通孔(TSV)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上,力图将产能翻倍,并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E,以应对高性能AI产品需求的增加。

消息显示,韩国半导体制造商SK海力士(SK hynix Inc.)将扩大其高带宽内存(High Bandwidth Memory)生产设施投资,以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划,对通过硅通孔(TSV)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上,力图将产能翻倍,并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。

SK海力士财报显示,该公司第四财季实现了1131万亿韩元(约84.6亿美元)的营收和3460亿韩元(约2.59亿美元)的运营利润,这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。

SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3(High Bandwidth Memory 3)和DDR5(Double Data Rate 5)的强劲销售。与上一年相比,SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势,SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E,并加快第六代HBM4的开发。

“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求,计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍,”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资,公司还表达了更谨慎的立场,“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”

SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2,前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块,后者是一种基于低功耗(LP) DDR5X的高性能移动模块,二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。

在专注于生产高附加值产品的同时,SK海力士计划将资本支出的增长最小化,强调稳定的业务运营。“与上一年相比,我们将投资削减了一半以上,以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度,专注于确保增长和盈利的领域,同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。

SK海力士解释说,自从2023年第三季度以,该公司来一直保持谨慎的生产策略,包括减产,导致销售超过了生产,随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略,直到2024年实现库存正常化,同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定,NAND闪存的产量将在下半年保持稳定,”该公司表示。

分析师预计,该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元(约合88.5亿美元)。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元(约合94.2亿美元),分析师认为,主要因为人工智能芯片需求预计将增加。

自2023年年初以来,SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。

本文转自华尔街见闻,作者:赵雨荷,智通财经编辑:李程

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