小米10拉动氮化镓(GaN)概念股 三安光电涨超6%

2月13日，小米用纯线上发布会的方式，发布年度高端旗舰手机小米10系列，还发布了一款重要搭档产品：小米GaN充电器Type-C 65W。值得一提的是，该充电器采用氮化镓(GaN)技术，得到资本市场强烈关注。2月14日，相关概念股三安光电(600703.SH)开盘大涨超6%。

氮化镓(GaN)是一种广为看好的新型半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点，用在充电器中更是具有高效率低发热、高功率小体积的优点，充电功率转换也比传统充电器更具优势。

采取该技术的小米GaN充电器，最高支持65W疾速充电，搭配小米10 Pro可实现50W快充。在引起行业内外关注的同时，拉动了供应链上下游产业的活力。

在发布会现场上，雷军多次详细介绍该项技术的先进性。小米10系列以及GaN充电器的发布，刺激并激活了行业信心，得到行业分析师、资方及相关企业关注。相关产业链的工作人员称，这都要感谢雷总。

当天，多家券商电子行业研究人员，紧急组织电话会议，基于这款采用氮化镓(GaN)技术充电器的发布，特邀行业专家，详细解读行业技术趋势和投资机会。

行业人士分析，三安光电、闻泰科技(600745.SH)、富满电子(300671.SZ)等标的受到重点关注。其中，今年2月3日，三安光电还在投资者交流平台上表示，公司目前氮化镓(GaN)产能约2000片每月，产能还在增加。

市场普遍认为，氮化镓(GaN)是未来最具增长潜质的化合物半导体，与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓(GaN)器件输出的功率更大;与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓(GaN)的频率特性更好。

同时，市场还预期，随着5G网络应用的日益临近，将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体技术)和GaAs(砷化镓)解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。预计到2025年，GaN还将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。

采用氮化镓材料后，小米充电器USB-C 65W的体积比小米笔记本标配的适配器缩小了48%，携带更方便，搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率，45分钟即可充入100%。