国金证券：新洁能(605111.SH)MOSFET龙头成长路径清晰,目标价160元，首予“买入”评级

智通财经APP获悉，国金证券发布研究报告称，新洁能(605111.SH)四大核心驱动力，MOSFET龙头成长路径清晰。预计公司2021-2023年实现归母净利润3.1亿元、3.8亿元和4.1亿元。给予公司2022年60倍目标PE值，目标价160元，首次覆盖，给予“买入”评级。

国金证券指出，公司是最早转向12英寸产能的功率器件公司之一，12英寸芯片在2020年四季度大规模投片，预计2021年产能增长带来的营收贡献约30%-40%。

国金证券主要观点如下：

四大增长核心驱动力

从8英寸向12英寸迁移增加产能和提升性能：国金证券预计未来相当长时间内8英寸产能短缺。公司是最早转向12英寸产能的功率器件公司之一，12英寸芯片在2020年四季度大规模投片，国金证券预计2021年产能增长带来的营收贡献约30%-40%，是少数在2021年有大幅度产能提升的功率半导体公司。并且从8英寸升级到12英寸有助于提升功率器件一致性，提高功率密度和降低损耗。

从沟槽型到超结和屏蔽栅MOSFET的产品升级：超结MOSFET和屏蔽栅MOSFET适用电压高、损耗低。参考公司产品2017-2019年单价，超结MOSFET平均单价比普通沟槽MOSFET高50%-200%，屏蔽栅MOSFET平均单价比普通沟槽MOSFET高50%-100%，随着客户认可度提高及开拓下游客户，高价值量的屏蔽栅和超结MOSFET收入占比将持续提升。

提高功率器件占比，提升自主封测比例：不同于逻辑器件制造成本中封测占比仅为15%-25%，对于功率器件，封测占比达到35%-50%，因此相较MOSFET芯片，以功率器件形式销售能享有更高的附加值。国金证券预计公司功率器件收入占比将超过80%。同时根据国金证券测算，预计公司自主封装产线的建设能将功率器件毛利率提升约4pct。

IGBT是营收增长新动力，化合物半导体布局未来：IGBT是目前增速最快的功率器件细分市场。公司推出了覆盖不同领域的IGBT产品线，掌握超薄芯片FS-IGBT等核心技术，国金证券预计2021年IGBT收入将大幅增长。公司前瞻布局化合物半导体功率器件，1200V新能源汽车用SiCMOSFET和650VPD电源用GaNHEMT正在积极研发中。

投资建议

公司IPO募集资金5亿元用于“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化”等项目。

风险提示

产品价格过快上涨带来的经销商囤积库存风险、技术升级的风险、限售股解禁的风险