IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计，可减少85%能耗

与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比，VTFET 有望带来翻倍的性能，减少 85% 能耗。

智通财经APP获悉，最近，IBM(IBM.US)表示，其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”，可以减少85%的能源消耗。

据悉，IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比，VTFET 有望带来翻倍的性能，减少 85% 能耗。

IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的潜在好处，包括：开发新的芯片架构，延长手机待机时间至一个多星期，扩展物联网(IoT)应用，减少能源密集型流程的能耗等。

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