中信建投：存储芯片长期高成长 本土厂商有望崛起

中信建投发布研究报告称，存储为长期高成长赛道，国内需求庞大，国产化需求迫切，大宗市场和利基市场已有优秀厂商涌现，中信建投表示长期看好本土厂商的崛起，上市公司中，建议重点关注：兆易创新（NOR Flash龙头）(603986.SH)、北京君正（车规存储龙头）(300223.SZ)、东芯股份（SLC NAND龙头）(688110.SH)。

半导体最大细分，5G、AI、智能车驱动成长。存储芯片为半导体的重要分支，产值占其30%，全球市场规模于波动中保持上升趋势，从2005年的546亿美元增至2020年的1229亿美元，近15年复合增速达5.6%。复盘历史，存储芯片市场出现过多轮新终端或应用驱动的成长周期，如90年代PC的渗透，2000年功能机的渗透及iPod等推出，2010年代智能机的渗透及云计算的爆发，未来存储芯片需求将在5G、AI以及智能车的驱动下步入下一轮成长周期。预计2021年市场规模将同比增长22%，2023年将超过2000亿美元。

短期强周期，长期高成长。受益于服务器、手机、PC等下游需求驱动，存储芯片市场规模快速扩张。中信建投判断，未来数年，服务器、手机、PC仍是存储芯片的核心应用，其中服务器需求增长明显，将成为主要驱动力，而手机和PC的需求增长主要来自存量升级。此外，受益于汽车智能化，汽车存储需求将持续高增，远期市场有望比肩PC。从结构上看，DRAM和NAND为存储芯片的核心品类，两者2020年份额合计达96%，其中DRAM技术迭代以制程演进为主，NAND技术迭代以3D堆叠为主。存储芯片市场格局趋向寡头垄断，因此大厂供给和下游需求的错配导致了存储周期，短时间维度看，存储芯片价格周期性波动，长时间维度看，存储芯片单位容量价格成下降趋势。

中国存储芯片自给不足，本土厂商有望崛起。目前，DRAM市场前三大厂商市占率合计大于95%，格局由三星电子、美光、SK海力士高度垄断，马太效应显著，而NAND相对分散，中信建投判断其格局未来将向DRAM演变。国内存储芯片需求庞大，市场规模在430亿美元以上，超全球的1/3，且增速高于全球平均水平，但自给率不足5%，庞大内需、新兴应用及政策推动助力国产存储芯片快速发展。从下游看，政府、电信、金融等关键领域将成为存储芯片国产化的中坚力量，潜在需求超百亿美元。除长鑫存储和长江存储攻坚大宗市场外，本土厂商多集中在利基市场，目前国产化率已达到一定水平，其中兆易创新、北京君正、东芯股份发展迅速，市场地位不断提高。