东莞证券：SiC有望成为最具前景的半导体材料之一 国产替代空间广阔

智通财经APP获悉，东莞证券发布研究报告称，碳化硅电气特性优越，有望成为最具前景的半导体材料之一。下游新能源汽车、光伏等领域驱动行业成长。目前海外龙头企业具备先发优势，国产厂商正加速验证，政策支持+成本下降背景下，国产替代空间广阔。建议关注国内碳化硅产业链各环节布局领先的企业，如晶盛机电(300316.SZ)、天岳先进(688234.SH)、三安光电(600703.SH)、时代电气(688187.SH)、斯达半导(603290.SH)等。

东莞证券主要观点如下：

SiC电气特性优越，有望成为最具前景的半导体材料之一。

半导体材料位于半导体产业链最上游，属于芯片制造与封测的支撑性产业，是半导体产业链中细分领域最多的环节。近年来，全球半导体材料市场规模稳健增长，而从被研究和规模化应用的先后顺序看，半导体材料发展至今已经历了三个阶段。其中，以SiC为代表的第三代半导体，具备耐高压、耐高温和低能量损耗等优越性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，有望成为半导体材料领域最具前景的材料之一。

碳化硅下游应用广泛，新能源汽车、光伏等驱动行业成长。

SiC产业链包括上游SiC衬底材料的制备、中游外延层生长、器件制造以及下游应用市场。从下游应用看，SiC衬底可分为半绝缘性衬底和导电性衬底，其中半绝缘SiC衬底主要用于制作微波射频器件，用于5G通讯、雷达等高频需求领域，导电型衬底则用于制作功率器件，用于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。近年来，SiC功率器件在下游应用中崭露头角，应用范围已从传统的消费电子、工业控制、电力传输、计算机、轨道交通等领域，扩展至新能源汽车、风光储、物联网、云计算和大数据等新兴应用领域，其中新能源汽车、光伏等领域的快速发展给SiC带来增量需求，驱动碳化硅行业不断成长。据Yole预测，到2025年，全球SiC市场规模将达到25.60亿美元，2019-2025年复合增速高达29.53%。

政策支持+成本下降，碳化硅国产替代有望加速。

近年来，国家陆续出台政策鼓励SiC行业发展与创新，叠加SiC衬底向大尺寸演进，有效提升材料使用率，以及晶棒、衬底良率持续提升，未来碳化硅器件的生产成本有望持续下降，预计在高电压场景中将先具备替代优势。目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势，国内企业仍在起步阶段，技术不断追赶同时产能尚在爬坡，随着国内企业产品得到验证进程加速，下游厂商认可程度不断提升，海外企业与国内企业差距相对缩小，国产替代具备广阔的市场空间。

风险提示：成本下降不及预期导致渗透放缓，行业竞争加剧等。