直击业绩会 | 东芯股份(688110.SH)：目前在研的LPDDR4x以及PSRAM产品稳步推进中 预计年底可为客户提供样品

智通财经APP获悉，11月16日，东芯股份(688110.SH)在业绩说明会上表示，目前在研的LPDDR4x以及PSRAM产品都在稳步的推进中，预计今年底可以为客户提供样品。公司在车规产品方面也持续不断的进行研发投入，目前SLC NAND和NOR产品都在进行AEC-Q100的认证。另外，公司已经完成了从65nm推进至48nm的中大容量的NOR Flash，预计年底可以通过堆叠的方式为客户提供1Gb的样品。SLC NAND方面，制程从38nm推进至1xnm，并在去年年底进行了首颗的流片。目前已经实现从1Gb到32Gb全系列的SLC NAND产品设计研发的全覆盖。DRAM方面，公司除了有基于25nm标准的DDR3产品之外也有LPDDR1、2与SLC NAND合封成的MCP产品。

前三季度研发费用同比增长77.11% 今年多个项目研发进度稳定

经营业绩方面，据介绍，2022年第三季度公司实现营收2.34亿元。2022年前三季度实现营收9.48亿元，较上年同期增加20.71%。实现截止三季度的归属于上市公司股东的净利润为2.71亿元，较上年同期增加61.27%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为2.56亿元，较上年同期增加57.72%。截止三季度每股收益0.61元，较上年同期增加19.61%。

公司重视技术研发，持续加大研发投入。公司前三季度的研发费用达到0.84亿元，同比增长77.11%。公司保持稳步向上的研发投入，研发实力不断精进。今年公司多个项目研发进度稳定：公司19nm闪存产品已完成首轮晶圆流片，目前正在产品调试过程中。公司NAND Flash和NOR Flash车规产品均在AEC-Q100的验证过程中，目前为止进展一切顺利。

目前在研的LPDDR4x以及PSRAM产品都在稳步推进中 预计今年底可以为客户提供样品

产品方面也在不断进行制程的更新迭代，公司已经完成了从65nm推进至48nm的中大容量的NOR Flash，预计年底可以通过堆叠的方式为客户提供1Gb的样品。SLC NAND方面，制程从38nm推进至1xnm，并在去年年底进行了首颗的流片。目前已经实现从1Gb到32Gb全系列的SLC NAND产品设计研发的全覆盖。DRAM方面，公司除了有基于25nm标准的DDR3产品之外也有LPDDR1、2与SLC NAND合封成的MCP产品。

目前在研的LPDDR4x以及PSRAM产品都在稳步的推进中，预计今年底可以为客户提供样品。公司在车规产品方面也持续不断的进行研发投入，目前SLC NAND和NOR产品都在进行AEC-Q100的认证。公司的产品在耐久性、数据保持性方面表现都非常稳定，有一颗产品目前可以达到工业plus的状态。该产品在工业温控的标准下，单颗芯片擦写次数可以超过十万次，同时在零下40度到零上105度的极端环境下，保持数据有效性长达十年，这也标志着公司的产品的可靠性也将从工业级向车规级进行迈进。

在汽车存储方面，公司拟进一步布局汽车电子领域，通过购置先进的研发设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员，增强车规级存储芯片的设计研发能力，按照行业发展基础来讲，车规级存储产品的导入，一般需要经历产品生产认证、客户使用的平台认证、一级供应商认证和最终的车厂整体认证等，不同种类的产品所需时间也各不相同。目前公司相关工作正按计划稳步推进，关于公司在车规级产品方面的进一步情况请关注公司未来的公告和定期报告。

此外，公司也表示，美国近期出台的出口新规，主要涉及的存储类产品是堆叠128层以上的3D NAND以及18nm以下的DRAM。东芯股份聚焦中小容量的存储产品，公司总体评估目前不会对公司产生重大不利影响和风险。

多款产品已经获得了高通、博通、联发科、中兴微和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可

据公司回答，东芯股份产品已进入国内外众多知名客户，广泛应用于 5G 通信、物联网终端、消费电子、工业和汽车电子产品等领域。公司构建了强大的设计电路图及封装测试的数据库，实现了芯片设计、制造工艺、芯片设计、封装测试等环节全流程的掌控能力，并拥有完全自主知识产权。公司设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR均为大陆目前领先的 NAND、NOR工艺制程。

在产品的高质量上，公司与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。公司的多款产品已经获得了高通、博通、联发科、中兴微和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可，形成了广泛的产品导入渠道，在很大程度上缩短了产品的验证周期，实现多类产品的销售协同。