台积电(TSM.US)启动3纳米芯片量产

智通财经APP获悉，台积电(TSM.US)12月29日正式宣布启动3纳米芯片的大规模生产。台积电董事长刘德音表示，对3纳米芯片的需求“非常强劲”，并补充称，该公司将在台湾新竹和台中建造2纳米工厂。

台积电正试图保持其全球最先进半导体供应商的地位。台积电将在2023年初采用产能有限的N3节点工艺，然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E，随后在2024年转向N3P。到2024年，台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产，并在2025年进行大规模生产。

台积电表示，与5纳米制程工艺相比，3纳米制程工艺的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。刘德音表示，3纳米芯片将在五年内创造出市场价值1.5万亿美元的终端产品。

台积电正转向下一代芯片制造业务，而此时全球电子需求正受到经济衰退威胁的打击。台积电今年将资本支出计划削减了至少10%，至360亿美元。一些分析师警告称，该公司可能会在2023年进一步推迟扩张支出。

作为台积电的竞争对手，三星于今年6月开始生产3纳米芯片，并准备在2024年推出更节能的3纳米节点工艺。目前，三星在全球半导体市场份额方面远远落后于台积电，位居第二。