东吴证券：存储行业景气下行进入后半阶段 年内有望出现拐点

智通财经APP获悉，东吴证券发布研究报告称，存储行业景气下行进入后半阶段，年内有望出现拐点。DRAM和NAND Flash作为主流产品，市场规模存在为期3-4年的周期性波动，上一行业景气度高点为21H2-22H1，当前正处于下行周期，该行预期2023年内行业有望恢复增长。智能手机、服务器和PC为存储三大终端需求驱动力，需求端仍有增量，关注消费复苏、服务器及算力提升机会。随着存储价格见底，有望迎来双击行情，带动整个产业链投资机会。

投资建议：看好行业价格触底带来的反转机会，建议关注IC设计公司兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、东芯股份(688110.SH)、模组公司江波龙(301308.SZ)、佰维存储(688525.SH)、德明利(001309.SZ)，海外建议关注美光/旺宏/华邦电/南亚科/宜鼎。

东吴证券主要观点如下：

存储行业景气下行进入后半阶段，年内有望出现拐点。

2022年，全球存储芯片市场规模约1334亿美元，占整个集成电路市场份额约23%。存储芯片由于标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格变动可作为半导体景气度风向标。DRAM和NAND Flash作为主流产品，市场规模存在为期3-4年的周期性波动，上一行业景气度高点为21H2-22H1，当前正处于下行周期，该行预期2023年内行业有望恢复增长。

需求端仍有增量，关注消费复苏、服务器及算力提升机会。

智能手机、服务器和PC为存储三大终端需求驱动力。2021年，DRAM位元需求中，智能手机占比约42%，服务器约38%，PC不足20%。手机、PC整体出货量见顶，但单机容量仍有提升空间;服务器受益于算力增长需求，例如ChatGPT等新兴下游出现，有望持续增长。智能汽车产业的发展也将贡献较高增速。

供给侧扩产放缓，关注海外大厂资本开支变动。

2021年，DRAM领域，三星(43%)、海力士(28%)、美光(23%)，CR3约94%;NAND领域，竞争格局相对分散，三星(34%)、铠侠电子(19%)、WDC(14%)，CR3约67%。美光、海力士、三星资本开支从2006年开始持续波动上升，2022年底，美光宣布大幅削减23年资本开支30%，海力士缩减70%-80%，三星作为剩余变量为关注核心，其减产有望优化供需结构。

美光复盘：存储投资背后的“ASP—收入—毛利率—股价”传导。

美光成立于1978年，是存储行业技术进步的重要推动者。公司历史上通过收购，缩小DRAM领域和三星差距;布局3D NAND新技术，实现快速增长。FY2022，美光来自DRAM和NAND的营收额分别为223.9亿美元、78.1亿美元。复盘公司股价，该行发现DRAM的ASP与毛利率为股价直接驱动要素，且相关性较强。公司股价已较长时间跑输SOX及纳斯达克指数，PB估值0.8-0.9倍位置安全边际较强。随着存储价格见底，有望迎来双击行情，带动整个产业链投资机会。

风险提示：需求复苏不及预期风险，产能过剩超预期风险，国产厂商技术进步较慢风险。