国开证券:我国存储产业链有望迎来成长机遇 建议关注存储、先进封测等领域龙头

AI大模型催生海量算力需求,推动存储产品在低能耗、高带宽、高容量上持续迭代,从而促进HBM产业链加速发展。

智通财经APP获悉,国开证券发布研报称,伴随着各类AI延伸应用,DRAM及NAND Flash在智能手机、服务器、笔记本电脑等单机平均搭载容量均将显著增长,同时AI大模型催生海量算力需求,推动存储产品在低能耗、高带宽、高容量上持续迭代,从而促进HBM产业链加速发展,叠加国产化和终端需求回暖因素,我国存储产业链有望迎来成长机遇,建议关注存储、先进封测、材料、设备等细分领域龙头。给予行业“中性”评级。

国开证券主要观点如下:

国开证券表示,存储行业周期性特征较为明显,自2021年底开启下行周期,2023年全球存储器市场规模同比下降37%,成为半导体市场中下降最大的细分领域;然而随着市场需求的逐渐复苏和上游原厂的减产措施,存储芯片价格有所回温。

供给端来看,当前产能尤为紧张的是HBM。迄今为止全球仅有的三家HBM供应商——SK海力士、三星、美光,SK海力士和美光均为英伟达HBM3E供应商,三星于24年2月官宣成功开发业界首款36GB 12层DRAM的HBM3E芯片,与8层HBM相比,其性能和容量超过50%,AI训练速度平均提高34%;近期海力士、美光均宣布24年HBM产能已售罄,且美光表示其25年大部分HBM产能已被预订,三星预计2024年其HBM产能将同比增加2.9倍,26年出货量将达23年的13.8倍。

需求端来看,一方面,消费电子设备单机存储容量将不断增加,智能手机呈现“大内存”趋势,AI PC入门级标配即32G内存,英特尔表示25年64G PC将开始出货;另一方面,HBM具备高带宽、高容量、低延时和低功耗特点,目前已逐步成为AI服务器与GPU的主流方案,如英伟达V100、A100、H100、H200等均采用HBM作为显存;HBM是AI芯片中成本占比最高的部分,以H100芯片为例,HBM占成本比重高达2/3左右,从产值来看,2023年HBM在DRAM产业中占比约8.4%,至2024年底将扩至20.1%。

风险提示:全球宏观经济下行,贸易摩擦加剧,技术创新不达预期,下游需求不达预期,业绩增长低于预期,中美关系进一步恶化,乌克兰危机,黑天鹅事件,国内经济复苏低于预期,国内外二级市场系统性风险等。

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