美光（MU.US）Q2法说会纪要：将推出新服务器处理器 预计下半年需求将恢复增长

本文来自微信公众号“湘评科技”，作者为郑震湘团队。

一、核心摘要

1、经营情况：FY19Q2实现营收58.35亿美元，同比下降21％，环比下降26％，符合指引，高于一致预期；净利润为19.71亿美元，环比下降43.8%，同比下降43.6%。

2、DRAM收入：占比64%，同比下降28%，环比下降30%，DRAM的ASP环比下跌约20%，出货量下滑低双位数百分比。

3、NAND收入：占比30%，同比下降2%，环比下降18%，ASP环比下跌约25%，出货量呈高单位数增长。

4、DRAM技术：1Y 纳米DRAM产量很高 ，预计在2019财年下半年将进一步提高1Y 纳米占比。

5、NAND技术：Q2实现了96层3D NAND的量产。

6、DRAM库存：已看到客户库存开始改善，预计库存水平在年中开始正常化。

7、DRAM供需：FQ3（公历Q2）位元出货将开始提升，下半年加速增长，全年需求增速为10-15%，供给增速为15-20%。美光决定将5%的wafer starts闲置。

8、NAND供需：全年位元需求增速约35%，行业供给增速接近40%。美光决定减少5% NAND wafer starts。

9、成本端：本财年DRAM和NAND的成本预期会有健康的下降。

10、资本支出：下调至90亿美元（原为90-95亿美元），且主要用于制程迁移与洁净室，并非用于扩产。

11、FY19Q3指引：预计收入将在46-50亿美元范围内，中值环比下降约18%; 毛利率在37％至40％之间; 运营费用约为7.6-8.1亿美元。每股盈利将为0.75-0.95美元。

二、CEO发言

大家下午好。尽管行业环境充满挑战，但美光在第二季度表现良好，业绩稳健，盈利能力和自由现金流保持良好水平。我们通过增加现金头寸和总流动性继续加强本季度的资产负债表。

虽然我们预计短期内会出现行业逆风，但我们会继续扩大我们的产品组合，提高我们的成本竞争力，并为在这种环境下从财务上和更强大的基本面奠定基础。

我想首先回顾一下美光公司战略的两个重要支柱，提高我们产品组合中的成本竞争力和增加高价值的解决方案。我们的战略为我们提供了巨大的机遇，同时也使我们能够更好地应对近期的逆风。

从2016财年到2018财年，强有力的执行战略使我们的年度盈利能力提高了60多亿美元。与同期竞争对手相比，我们的EBITDA利润率提高了15个百分点以上。

我们预计本财年的成本降低将取得进一步进展，包括DRAM和 NAND的同比成本同比下降，在DRAM中，我们的 1Y 纳米产量很高 ，我们预计在2019财年下半年将进一步提高1Y 纳米占比。

我们也在 1Z 纳米 上取得了很好的进展， 并开始使用这种技术对产品进行试样。正如我们过去所说，未来的DRAM节点转换需要额外的工艺步骤和更多的晶圆厂洁净室空间。因此，除了之前宣布扩建我们的广岛工厂外，我们还开始在台中工厂进行洁净室扩建的现场准备工作，以便将现有的DRAM晶圆产能转移到未来的节点。我们仍在最后确定时间，但预计会在2021的某个时间开始投产。

在 NAND ，我们在Q2实现了96层3D NAND的量产，这是我们NAND产品历史上最快产量爬坡 。我们在 使用我们的替代栅极技术的 第四代3DNAND的 开发方面也取得了良好的进展 。

鉴于浮动栅极到更换栅极转换的初始资本要求很高，我们预计我们的第一个替换栅极节点将提供有限的成本降低，因此我们计划在选定的 NAND 产品中 部署此节点 ，其余的产品组合将转换为替换门的第二个节点。随着我们的产能转换， 这种方法将优化我们的NAND资本投资的投资回报率 。

提醒一下，我们的替代门架构将使我们能够提供性能改进，并为我们提供有效扩展3D NAND 未来发展的途径 。

鉴于第一个替换门节点的初始部署有限，我们预计 2020年日历中的NAND位供应增长将低于行业需求水平，我们计划利用我们的成本效益浮动门库存来满足客户需求。

转向高价值解决方案。2019财年上半年超过三分之二的 NAND 收入来自高价值解决方案，高于2018年上半年的55％。这种高价值解决方案的组合与我们具有竞争力的成本结构相结合，使我们能够实现财政收入Q2尽管行业价格大幅下跌，但 NAND的毛利率仍处于 30+%的高位 。

在SSD中，我们在转换到 NVMe 方面取得了进展， 同时继续提高 SATA的成本 。在 第二季度 ，我们开始向大型PC OEM收取第一台 NVMe 客户端SSD的 收入 ，其中包括我们内部设计的控制器和我们与其他客户的非活动资格。我们打算在今年晚些时候推出云和企业 NVMe SSD。

在 SATA中 ，我们在第二季度推出了基于96层3D NAND的 消费者和客户端SSD 。在云市场中，我们的定制持久性内存解决方案，结合了DRAM和NAND ，现在已经全面发展，并为我们的云收入做出了有意义的贡献。3D XPoint 开发仍然按计划在日历年结束之前计划客户样本。我们相信3DXPoint 技术将成为众多新应用的关键推动因素，尤其是人工智能和数据分析。

正如之前所宣布的，今年1月，我们行使了期权，以收购英特尔在犹他州Lehi的IMFT 工厂 的权益 。此次收购为我们提供了制造能力和高技能人才，以推动3D XPoint 的发展和创新。

现在转向终端市场。我将从移动开始。在第二财政季度 ，尽管存在不利的内存和存储价格以及高端智能手机单元销售疲软，但我们的收入同比增长并且毛利率同比增长。我们在移动领域的表现受到我们管理的NAND 产品组合的增长推动， 其中NAND位元出货量同比增长超过5倍 。

由于其业界领先的容量和一流的功耗 ，我们也看到了对 1Y 纳米LP DRAM的 强劲需求 。智能手机的内存和存储持续增长，这得益于多摄像头，机器学习，计算摄影和 4K 视频等功能。上个月，三星发布了其高级GalaxyS10 Plus智能手机，其中包括12千兆字节的DRAM和1兆兆字节的 NAND。

在世界移动通信大会上，几家公司宣布推出具有 5G 连接和可折叠屏幕的新款手机 。这些下一代高端手机将配备8至12千兆字节的DRAM和256到512千兆字节的 NAND ，相比于目前高端手机四到六千兆字节额DRAM的64到128千兆字节的 NAND。我们相信5G可折叠手机等创新和虚拟现实将推动未来几年的价值量增长，并且应该从2020年开始重新推动智能手机的销售。我们也对 5G 可能创造的机会感到兴奋。它将实现真正的机器对机器通信并加速数据创建和分析，这是我们业务的基本驱动因素。我们预计 5G的采用将增加对物联网设备，无线基础设施和数据中心内存和存储的需求。我们的嵌入式和网络业务已经开始从早期的5G基础设施投资中受益 。在数据中心市场，随着过去两年的异常增长，对内存的需求在今年有所缓和。需求放缓是由于持续的客户库存调整以及某些云客户的软件优化。

由于我们看到客户的库存状况有所改善，我们预计2019年下半年将恢复增长。预计将在几个月内推出支持更高内存密度的新服务器处理器，这将推动 2019年下半年额外需求增长。

在FYQ2，我们发布了高密度 1Y -纳米 DDR4 服务器模块样品给客户提前规划，这将使我们很好地从这个新的CPU平台的斜坡受益。在图形方面，我们增加了高性能 GDDR6 DRAM的销售额并扩大了我们的客户群，这使我们在2019年下半年实现了更强劲的增长。我们看到 GDDR5的 客户库存调整 很大，并且预计它们今年年中结束调整。

由于对ADAS和先进的车载信息娱乐系统的需求不断增加，我们在汽车领域又实现了强劲的季度收入同比增长。在第二季度 ，我们宣布了几项新的汽车产品，包括与高通公司合作开发下一代车载信息娱乐系统和 5G 通信模块。我们还宣布与使用我们全系列内存和存储产品的领先ADAS平台供应商进行新的战略合作。

汽车销售是一项短期挑战。然而，由于先进的信息娱乐系统和采用自动驾驶汽车，汽车内存和存储内容在汽车中不断增加，我们看到汽车市场在未来十年内为美光带来强劲增长。

在工业和消费者市场，由于季节性，宏观经济和价格缺陷以及库存调整，我们看到销售额下降。我们在视频监控，销售点和工厂自动化应用方面取得了重要的设计成果。在世界移动通信大会上，我们发布了业界首款采用QLC的 1TB microSD卡 NAND 。

在个人电脑市场，由于价格疲软以及其他细分市场的库存减少以及客户端CPU短缺，销售额下降超过25％。我们仍然专注于这个市场的成本竞争力，超过三分之二的PC DRAM位出货量现在来自我们先进的 1X 和 1Y 纳米技术节点。

现在转向我们的DRAM行业前景。自上次财报电话会议以来，DRAM定价疲软超预期。由于客户库存水平较高，多家企业OEM客户的服务器需求减弱以及更高的CPU短缺率，我们2019年的需求平缓。我们认为宏观经济的不确定性也导致一些客户购买行为的犹豫不决。

然而，正如我们在上次财报电话会议上所讨论的那样，我们仍然预计DRAM 季度 出货量将在我们的 第三季度开始提高在2019年下半年的需求增长下，因为大多数客户库存可能会在年中正常化。根据我们目前的观点，我们现在估计2019年我们客户对DRAM需求会有10-15%的位元增长。

此外，我们估计行业供应量增长将达到15-20%。鉴于我们预期客户对DRAM的需求较低，我们决定将大约5％的DRAM产能闲置。此举将使我们的生产水平接近我们对2019日历DRAM产业位需求增长的看法。我们将继续监控市场并采取适当行动，以确保2019年日历中的位供应增长与需求保持紧密一致。

展望2019财年之后，随着移动和服务器需求的改善 ，我们预计需求增长将加速 。特别是，我们预计2020财年将从2019财年的疲软状态反弹回来，实现强劲的DRAM比特需求增长。

在行业向64层3DNAND的过渡中， NAND市场仍然受到加速和比特增长的过度供应 。虽然第二季度的定价低于我们的预期，但我们乐观地认为需求弹性和季节性趋势将支持2019下半年需求增长的改善。我们预计2019年 NAND 位元需求增长可能会在 35％左右的范围内，而行业供应量将比这略高 ，我们的目标是使我们的位出货量增长接近行业需求的增长率。

我们一直在谨慎管理NAND供应增长，包括调整我们的资本规划和晶圆产量。我们的NAND晶圆启动总量减少了 约5％，主要是通过减少我们的传统节点。

鉴于DRAM和 NAND 行业状况的 这些变化 ，我们已经减少了 2019财年的资本支出 ，并且正在评估 2020财年的资本支出 。我们正在采取谨慎行动来应对当前的市场状况，同时在我们的长期战略中表现良好目标。

三、CFO发言

谢谢桑杰。在略逊于预期的市场状况下，美光第二季度财报结果在我们的指引范围内。本季度，我们向股东返还资金，继续改善成本结构，并通过首次发行投资级债务来加强资产负债表。此次发行的大部分收益用于赎回我们未偿还的大部分可转换票据，从而减少我们的全面摊薄股票数量。

第二财季总收入为58亿美元，比上年下降21％，比第一季度下降26％ 。收入反映出DRAM和NAND的价格趋势低于预期 。

DRAM收入同比下降28％，比第一季度增长30％，占第二季度公司总收入的64％。与上一季度相比，DRAM平均售价下降了在20％-25%，，而出货量则以两位数的低位下降。与去年同期相比，今年DRAM比特出货量下降 5%左右。NAND 收入同比下降2％， 比上一季度下降18％。NAND收入占第二财季公司总收入的30％。

我们的整体 NAND平均 售价在20％的中间范围内下降，而出货量在上个季度的较高的单位数百分比水平上升。由于大客户的需求时机， NAND比特出货量强于我们的预期。

现在按业务部门转向我们的收入趋势。计算和网络业务部门的收入为24亿美元，同比下降35％，比上一季度下降34％。主要细分市场的定价以及数量减少推动了连续下滑，特别是在图形，云和PC方面。

移动业务部门或 MBU的 收入为 16亿美元，同比增长3％，比创纪录的第一季度下降27％。由于季节性和定价疲软导致销量下降以至于环比收入下降。尽管目前的市场条件不佳， 由于我们管理的 NAND 产品的强劲增长， MBU收入同比增长 。

嵌入式业务部门的收入为8亿美元，与去年同期相比下降了4％，比创纪录的第一季度下降了14％。尽管汽车销售疲软，汽车业务仅从创纪录的第一季度略有下降。由于价格疲软和DRAM数量减少，其他嵌入式收入环比下降。

最后，存储业务部第二财季收入为10亿美元，同比下降19％，环比下降11％。SSD销售额下降推动了连续下滑，部分被部门收入增加所抵消。

第二财季的综合毛利率为50％，而去年同期为58％，第一季度为59％。财政第二季度业绩包括3D XPoint 利用不足的成本影响接近160个基点。DRAM和 NAND的 价格均低于预期 ，但在降低成本方面的强劲执行导致毛利率在我们的指导范围内。

第二季度财务运营支出为8.18亿美元，处于我们引导范围的高端。OpEx包括3700万美元的一次性工具减值成本，这些成本在我们的指导中没有预料到。如果不考虑这种减值， OpEx将会在我们指引的低位。我们仍然专注于控制我们的开支，同时投资未来的产品和技术。

我们在第二财季实现了稳健的盈利，营业收入为21亿美元，占收入的36％。这一利润率同比下降了13个百分点，也比第一季度下降了13个百分点。

第二财季的税率约为8.3％，我们现在预计2019财年的税率约为10.5％。

第二财季非GAAP每股收益为1.71美元，低于去年同期的2.82美元，低于上一季度的2.97美元。

谈到现金流和资本支出，在第二财季，我们从运营中获得了34亿美元现金，占收入的59％。资本支出（扣除第三方捐款）约为24亿美元，与上一季度相比持平。

我们将 2019财年的 资本支出 目标从我们先前的90亿美元至95亿美元的预期范围 下调 至约90亿美元，因为我们通过当前环境管理，同时保持对我们战略重点的投资。

正如我们之前提到的， 今年我们的资本支出的很大一部分将用于洁净室建设和装配和测试操作，这对我们的位供应增长没有贡献。

2019财年的Fab设备支出比去年有所下降，主要用于将20纳米DRAM和32层3D NAND迁移到更先进的节点，而无需增加新的晶圆容量。

对这些技术转型的投资提供了极具 吸引力的 成本降低和非常 有吸引力的ROI。正如我们在过去两个季度所展示的那样，我们仍然根据业务条件灵活地使用资本支出 。

在第二财季，我们调整后的自由现金流定义为运营现金流减去净资本支出约为10亿美元，而去年同期为22亿美元，第一财季为23亿美元。

我们将该季度约70％的自由现金流用于我们的股票回购计划。我们在第二财季回购了大约7亿美元的股票，代表了2100万股。截至2019财年上半年，我们以25亿美元的价格回购了6300万股股票，利用上半财年76％的自由现金流量。

我们继续作为有吸引力的资本使用进行股份回购，并继续致力于按照我们目前100亿美元的授权，每年至少部署50％的自由现金流用于回购。

除回购外，我们还在季度结束后取消了2043年的转换，按当前股价实际降低了我们的全面摊薄股份约900万股。请注意，这些转换的相关股票数量为3500万股，这可能导致我们的股价上涨导致更大的稀释。

本季度库存为44亿美元，比第一季度末的39亿美元有所增加。我们的第二季度库存天数为134天，而第一季度为107天。我们今天宣布的关于减少供应以及改善客户需求的行动将开始我们更高的库存水平。

我们在第二季度结束时处于强劲的流动性状态，净现金为30亿美元，流动资金总额接近120亿美元。由于我们发行18亿美元债券，总现金增加至92亿美元。

我们的债务状况在本季度增加了21亿美元到62亿美元，这主要是由于 做的债券发行和识别与G系列可换股票据赎回相关的溢价。

在季末，我们使用14亿美元现金完成可兑换票据赎回，从而使我们的GAAP债务余额减少约11亿美元。

1月14日，我们行使了看涨期权，收购了与英特尔合资的 IMFT 。我们预计将在2019财政年度末或2020财年上半年完成交易。这笔近15亿美元的交易也将退回美光资产负债表上10亿美元的合资相关债务。由于我们已经在财务报表中整合了IMFT的结果，因此我们预计不会对我们的近期业绩产生重大影响。

现在转向我们的市场前景。DRAM和 NAND 市场正在解决供需失衡问题。我们的可见度仍然很低，近期环境仍然充满挑战。虽然整个行业的资本支出减少，但由于交货时间的原因，它们尚未影响产量增长。我们预计我们的DRAM比特出货量将在第三季度连续增长，并在第四季度以更高的速度增长。

在 NAND ，由于出货时间和预计第四财季将恢复增长，我们预计第三季度我们的比特出货量将出现小幅下滑。我们今天宣布的DRAM和 NAND 产量减少 ，加上我们今年公布的15亿美元的 资本支出 减少量，也有助于减少我们在今年下半年的 DRAM和 NAND 供应量 。

考虑到这一点，我们针对第三财季的非GAAP指导如下。我们预计收入将在46-50亿美元的范围内; 毛利率在37％至40％之间; 和运营费用约为7.6-8.1亿美元。根据约11.4亿股全面摊薄股份的股票数量，我们预计每股盈利将为0.75-0.95美元。

最后，美光继续执行我们的关键举措，增加高价值解决方案的组合，提高我们的成本组合，并投资新的和创新的产品。我们稳健的财务基础，强劲的流动性和大幅降低的杠杆率意味着我们有条件在短期市场条件下投资我们的未来。

四、CEO总结

戴夫，谢谢你。为应对短期行业状况，我们采取果断行动，以减少供应增长，以符合行业需求。与此同时，我们继续投资并执行我们的战略重点，以降低成本并增加我们产品组合中高价值解决方案的组合。美光的长期需求趋势保持非常健康，多个市场都有巨大的增长机会。

我们仍然相信存储器行业在结构上更加强大，需求驱动因素更加多元化，供应增长能力有所放缓。凭借我们强大的资产负债表以及改进的产品组合和运营模式，美光公司比以往任何时候都更有利于赢得并为股东创造长期价值。

五、问答环节

Q：库存情况？资本支出情况？

A：我们注意到我们的库存现在是134天。一些动态正在进行中。因此，在我们上一季度讨论的DRAM中，我们预计在日历年的上半年会有更高的库存水平，因为我们的客户已经建立了库存并开始消化。然后，我们所做的就是减少我们的 资本支出 。因此， 资本支出减少的结果应该会在我们日历年的比特增长方面开始产生影响，因此这也将开始帮助管理库存。然后最重要的是，本季度我们谈到将资本支出进一步降低到约90亿美元，我们谈到将未充分利用的5％ 用于进一步降低产量。因此，这应该有助于使DRAM库存更加符合要求。因此，我们预计在日历年的下半年，我们将开始看到DRAM处于更好的位置。在 NAND 方面，显然我们的库存水平也在提高。我们的想法是将更高水平的库存带入2020年，以便支持终端客户的需求。资本支出的减少确实影响到NAND，我们也调整了5%的晶圆产出去平衡库存， 所以我认为，随着我们开始研究 NAND 部分的库存， 我们将看到库存在2020日历年的后半段开始改善 。

就资本支出而言，我们管理这个的方式就是我们在分析师日讨论它时所说的。我们将我们30%的左右的销售额作为CapEx。显然，将会有几年高于平均水平，并且有几年将低于平均水平。因此，在这几年中略高于30%的水平并不奇怪 。今年我们有许多不同的洁净室扩建计划，这可能会从我们的正常运行速度提升一点点。但从长远来看，你会发现我们处于这个30％左右的水平。我们根据经济环境灵活调整资本支出 。

Q：超大规模？

A：关于超大规模，正如我在发言中所说，我们确实期望库存将在今年上半年通过我们的客户在系统中运行。我们当然看到了客户库存消耗的证据。我们确实希望这将在今年年中完成。我们确实预计DRAM将在今年剩余时间内连续增长并逐年增长。

与日历年的上半年相比，需求将在日历年的下半年得到改善。当然，CPU短缺的改善也将有助于改善日历年下半年的需求。

Q：为什么关闭部分的DRAM容量？

A：大约150天的库存是我们感到满意的。当我们真正看到我们的需求并看看我们的产量时，我们认为对我们来说，使我们的供应符合预期的需求是很重要的。这样的调整能更有效地管理我们的库存，有效管理我们的现金流以及真正以健康的方式管理我们的业务。当然，我们的库存成本很高。这个库存根本没有绝对的销售问题，但我们真的认为对我们的业务进行审慎的管理，以使我们的供应增长符合我们的需求预期。我们所产生的未充分利用成本并不会影响我们的每单位成本。他们将被视为该季度的期间成本，并且隐含在我们第三财季的37％至40％的毛利率指引中。

Q：NAND的成本曲线情况？如何考虑2020财年的成本？

A：我们的成本在2020财年将会很好，因为今天我们的64层和96层技术在模具方面绝对优于行业每千兆字节的成本。而且 这些好处来自于Micron所接近的重新架构下的CMOS，我们现在使用的是第三代。我们在2020财年NAND 产品竞争组合可以满足市场需求 ，将带来非常显着的成本优势。

第四代3D NAND 将成为替代栅极技术的第一个节点，虽然层数更多，实际上也会有更大的资本密集度，因为从浮动栅极到替代栅极的过渡需要更多工具。

这就是为什么我们真正将我们投资组合的一部分转换为第一代替代栅极技术，其余的产品组合将在晚些时候从第三代浮动栅极转换到替代栅极的第二个节点，显然这将为我们提供更大的收益。

与第一个节点相比，后面提到的第二个替代栅极将获得更高的层数。因此，这将为我们带来成本和投资回报率的好处，我们将在明年在浮动栅极和替代栅极技术的产品组合中实现竞争力 。

Q：DRAM降低了5%的供应，NAND 晶圆减少了5％，是否在释放什么信号？当您放慢晶圆时，您是否应该清楚地了解对您的成本结构的影响？

A：所以，我们正在降低DRAM和 NAND的产量。在DRAM中，供应增长的减少是由于这种空转容量 - 空转晶圆启动影响更大。在 NAND中 ，由于我们减少了与传统节点特别相关的晶圆启动，因此对供应位增长的影响较小，因为我们提到的晶圆启动减少主要针对传统节点。

就成本而言，正如我之前所说，我们在降低成本方面继续表现优异 - DRAM的同比成本降低能力，我们对我们应对DRAM放缓的能力感到非常满意。在 NAND中 ，我只想补充之前关于成本定位的评论，明年，我们还将继续从64层到96层过渡到过程中的持续收益。明年，这也将帮助我们降低成本。所以我相信我们在DRAM以及 NAND方面的成本将具有竞争力。我只想指出，减少产出减少的好处不仅仅是成本方面。还包括库存管理和现金流管理。

Q；库存情况，终端客户下半年复苏对第四财季NAND 和DRAM业务的影响？

A：是的。我认为五月季度库存可能略微提升。我们这里没有提供财政 Q4 指导。但正如我们已经说过的那样，今年下半年，我们预计DRAM的比特增长将连续按季度和按年同比继续增长。我们指导中提及FYQ3 DRAM的位增长，并且应该在FYQ4 和今年剩余时间继续。然后 NAND 在下半年有季节性。当然，我们预计弹性的影响也有助于改善需求。而DRAM和NAND 智能手机平均容量增长的趋势保持。当您查看某些云服务提供商报告的结果时，这些结果将继续牢固地指向需求和云服务的增长。所有这些都预示着长期需求趋势。在我们所有的终端市场中，我们确实看到下半年与上半年的需求普遍改善。当然，所有这些都受制于宏观经济的不确定性。如果宏观经济气候进一步恶化，那么我们可以在这种前景中产生不同的影响。

Q：既然DRAM需求会回归，那为什么还要减少供应？

A：因此今年到目前为止需求一直疲弱，我们预计上半年需求环境也将疲软。因此，当我们谈论我们对DRAM总需求增长的预期时，我们是按全年来说的，当你看到我们的供应增长时，我们希望使我们的供应符合我们的需求预期。而且我们认为，下半年这个改善的需求环境，我们能够通过削减供应来获取这一优势，并推动我们的库存位置。

Q：DRAM和NAND成本降低的影响？

A：是的。我们预计 今年DRAM和NAND的成本都会出现下降。我们明年仍在进行技术转型。所以我们特别希望在DRAM中成本会很好。正如我们所说，替代栅极可能不是我们想要的第一代产品，但是很有库存优势的一代，我们在明年开始成本结构很好的64层和96层库存。因此，我们应该在2020年在 NAND 上拥有良好的成本结构。关于 NAND，96层仍处于生产阶段的早期阶段，并且随着我们推出第一个替代栅极节点，它将在明年继续发展。因此，96层也将继续成为我们2020年降低成本能力的强大推动力。

Q:您通过晶圆的空转来降低您的供应，那么是否在投资组合上有新的转变?

A：显然，我们在管理我们的生产组合方面我们非常关注这一点。无论如何，我们在生产持续中这样做。当我们在 NAND 和DRAM中降低供应是我们保证不会影响满足我们需求的能力。因此，正如我们所说，我的意思是我们目前在 NAND 和DRAM中 都有高水平的库存，这使我们有机会使我们的产品符合需求。我们能够满足所有终端市场的需求时。

Q：NAND的弹性问题，对NAND和DRAM下半年复苏的看法？

A：关于 NAND 弹性，NAND和SSD在笔记本电脑，个人电脑中的容量会继续上升，因此， 有价格吸引力的NAND可以为数据中心市场和客户市场提供更大的HDD更换。在世界移动通信大会上，您看到智能手机，可折叠手机和 5G 手机正在宣布其中存储容量为512千兆字节和高的存储容量。此外，应用程序也在向需要越来越多存储的功能发展。例如， 5G 将具有更高的连接性和低延迟性，将推动更多DRAM以及NAND的需求 。我们非常注重继续扩展我们的产品，我们也在SSD方面，我们是通过 NVMe 解决方案扩展我们的产品组，我们刚刚将我们的第一个NVMe 客户端硬盘推向市场，今年晚些时候我们还将为企业和云应用程序提供NVMe 。在过去几年中，我们在一些解决方案方面做了很多改进，并且在扩展我们的固态硬盘机会以及在手机端的 NAND的增长，我们在过去几个季度中获得了有意义的份额。

Q：客户订单的情况，为什么有信心会从Q3起来？

A：我们的大客户需要特定时间满足他们的需求这与 NAND 有关。另一方面，我们确实看到了客户的库存消耗证据，这使我们相信，需求会有所改善。最近几周我们也看到了一些以前库存高的客户的新订单。最重要的是终端市场需求驱动因素随着客户对DRAM的消耗而持续强劲，市场特别是云市场继续保持健康。客户正在耗尽他们的库存来满足这种需求。在接下来的几个月中，到今年年中，库存将在很大程度上恢复到正常水平，这将为下半年与上半年相比提供更大需求的机会。

Q：下个季度的库存问题。

A：是的，库存增加了。我们也预计DRAM将在第三财季连续增长。结合起来会带来好处。我们实施的资本支出减少将开始调整比特产量增长，因此我们预计在第三财季开始会看到一些好处。正如我所说的那样，我们确实预计下个季度库存会再次上升，但随后Sanjay表示，许多已建立库存的客户将开始恢复正常，他们将开始向我们发出更大的订单，因此三四季度我们讲看到DRAM库存的减少。

风险提示：半导体下游需求增长不及预期、宏观环境边际恶化。