联发科将采用台积电(TSM.US)6纳米技术制造高端5G手机芯片

1月20日,联发科表示,公司将使用台积电(TSM.US)的6纳米芯片制造技术,生产针对高端5G智能手机的最新芯片。

智通财经APP获悉,1月20日,联发科表示,公司将使用台积电(TSM.US)的6纳米芯片制造技术,生产针对高端5G智能手机的最新芯片。

据悉,联发科于今日宣布推出名为Dimensity 1100和1200 5G智能手机芯片组,其中该芯片组将增加采用6纳米技术的1100和1200芯片,并外包给台积电,由该公司进行生产。

联发科国际企业销售部总经理Finbarr Moynihan在接受采访时表示:“联发科早前的芯片采用的是7纳米工艺,随着芯片设计的进步,采用更新的制造技术将使联发科的产品在计算速度上提高22%,同时功耗降低25%。”

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