中信证券:存储晶圆端涨价品类增加 部分已传导至成品端

中信证券发布研究报告称,国内厂商已发布2023年中报业绩,整体来看23Q2基本面企稳或环比向好,23Q4环比改善预期相对明晰。

智通财经APP获悉,中信证券发布研究报告称,国内厂商已发布2023年中报业绩,整体来看23Q2基本面企稳或环比向好,23Q4环比改善预期相对明晰。国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节,2023Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位,库存见顶,营收/出货量出现环比增长,部分厂商Q2利润端环比改善。

该行预计23H2随库存去化,需求逐步回归,未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。

中信证券主要观点如下:

存储器价格情况:

DRAM方面:8月个别产品价格出现上涨,环比-6.12%~+6.45%,本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为69%~83%。高端DRAM(服务器DDR5)合约价格稳定,主流DRAM(DDR4)价格跌幅收窄,个别产品价格出现上涨,8月涨跌幅-6.12%~+6.45%(7月涨跌幅-7.92%~-1.02%),利基DRAM(DDR3)价格跌幅在2.06%~4.55%(7月跌幅3.96%~8.33%),目前价格处于周期底部。TrendForce预计,受DRAM厂商陆续减产影响,供给逐季减少,加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%,同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。

NAND Flash方面:8月价格持续回升,环比0.00%~+7.09%(512GB大容量连续两月环比上涨,128/256GB价格保持稳定),本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为47%~69%。23H2旺季备货周期将至,尽管今年需求低迷,如Client SSD与Enterprise SSD在下游出货量下滑预期下采购量下降,导致终端出货预测持续下修,但在原厂持续减产及下游需求复苏预期下,市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1,采购量有机会逐季增加。根据CFM闪存市场,7月初至9月14日,512Gb Wafer价格从1.41美元上涨至1.68美元,涨幅达20%;展望23H2,TrendForce预计23Q3 NAND Flash Wafer整体均价环比涨幅0%~5%,Q4涨幅将进一步扩大至 8%~13%。

存储模组方面:今年2月开始价格下跌幅度收窄,8月SSD价格出现上涨,DDR4价格基本持平(9月1-2周小幅上涨),本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44.76%~60.63%。据CFM闪存市场,截至9月12日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)由约16.5美元下降至不足14美元,降幅约15%,OEM SSD(512GB SATA)由约25美元下降至19美元,降幅约24%。我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4开始回暖,随下游需求复苏而获得销量弹性,同时上游晶圆成本处于底部,有利于模组环节盈利水平修复。

价格传导分析:NAND Wafer涨价行情已由合约价传导至现货价,8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端。5月起,美、韩系厂商大幅减产后,部分供应商已经开始调高wafer报价;由于多数供应商已开始减产,库存压力在Q3下降,三星等原厂报价态度强势,Q3合约价已出现较大幅度反弹,并刺激买方采购意愿,加速供需平衡。8月末起,晶圆端涨价已开始传导至模组端,根据CFM闪存市场,SSD、EMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨(单周价格涨幅约0~5%)。TrendForce预计23Q3 NAND Flash整体均价跌幅将收缩至5~10%,Q4有望止跌回升,预估涨幅为0~5%。展望后续,我们预计23Q3 NAND各环节涨价将延续至23Q4;随DRAM持续减产以及下游服务器市场复苏,预计23Q4 DRAM价格有望开始回升。

中国台湾厂商高频数据:

主流存储器价格仍相对承压,中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降,但进入三季度,受益于市场回暖、部分产品价格上涨,8月各家营收环比均上升:旺宏8月营收同比-30.23%,环比+19.23%;华邦电8月营收同比-13.21%,环比+1.74%;南亚科8月营收同比-24.69%,环比+5.65%;力积电8月营收同比-46.03%,环比+1.20%。

供给侧与需求侧近况更新:

供给端:为应对下游需求持续疲软、行业供过于求,部分厂商调降投片量,同时下调2023年资本开支及产能提升预期。据各公司业绩交流会,美光FY2023资本支出降至70亿美元,同比-40%以上,并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年;SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%,并决定对NAND进一步减产5-10%;西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降;三星平泽与西安厂扩大减产幅度;我们预计23H2大厂库存消耗速度将加快,促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面,SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量产并供货OPPO;此外,SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品,计划2025H1量产。从历史周期看,资本开支增速与市场规模增速强相关性,随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率,我们预计23年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,我们看好存储板块周期2023年下半年见底。

需求端:下游厂商“降成本、去库存”趋势持续,看好需求逐步复苏。2022年需求疲软下行业库存持续攀升,23H1行业库存持续去化,具体来看,IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好,Q2供应链去库存接近尾声,下游客户逐步恢复拉货;手机品类中高端产品需求稳定,低阶产品需求更具韧性(性价比凸显),供应链中部分细分品类库存去化进展顺利,已进入补库存阶段;PC 23Q2库存持续去化,23H2需求有望进一步回暖;传统服务器行业仍处于库存去化阶段。我们认为,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好23H2至24年下游需求回暖趋势:1)服务器端,我们预计23Q3需求有望实现环比增长,看好23H2 DDR5服务器端需求提升,同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的6~8x和3x;2)PC端,我们预计23年PC出货同比下滑低两位数(low-double digit);3)手机及智能终端,我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数(mid-single digit),年内前低后高,库存逐季改善;4)汽车端稳健增长,预计23Q3工业市场初步复苏,行业库存及需求有望在23H2持续改善。

投资建议:国内厂商已发布2023年中报业绩,整体来看23Q2基本面企稳或环比向好,23Q4环比改善预期相对明晰。

国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节,Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位,库存见顶,营收/出货量出现环比增长,部分厂商Q2利润端环比改善。我们预计23H2随库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。

风险因素:

下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争日益加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。

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