德邦证券：周期触底+国产化 存储板块迎来新一轮投资机遇

智通财经APP获悉，德邦证券发布研究报告称，存储芯片迎来周期触底阶段，目前存储价格跌幅在收窄，且部分产品价格已经企稳。随着海外存储大厂削减资本开支计划，预计后续存储价格将触底企稳。另一方面，存储芯片目前国产化率仍低。预计存储芯片的国产化将提速，利好存储产业链的发展。

标的上，建议关注存储芯片厂商中的兆易创新(603986.SH)、北京君正(300223.SZ)、东芯股份(688110.SH)、普冉股份(688766.SH)等;存储封测厂商：深科技(000021.SZ)、长电科技(600584.SH)、通富微电(002156.SZ)等;存储模组厂商：江波龙(301308.SZ)、佰维存储(688525.SH)、朗科科技(300042.SZ)等;存储控制芯片：德明利(001309.SZ)等。

▍德邦证券主要观点如下：

存储价格跌幅预计收窄，大厂减产加速行业触底。

根据集邦咨询，由于部分供应商如美光、SK海力士已经启动DRAM减产，DRAM价格预计在Q2跌幅收窄;而NANDFlash方面，集邦咨询预估，今年Q2NANDFlash均价下跌幅度收敛至5%~10%。

江波龙预期，随着存储晶圆厂三星、美光、SK海力士以及西部数据等纷纷将于2023年大幅度削减资本开支甚至减产，2023年全球半导体存储的单价有望终结下跌趋势，并可能实现小幅回升。根据正能量电子网，旺宏部分NorFlash料号的市场价格已在3月出现环比实现增长，显示部分存储芯片价格已经开始企稳。

美光预期需求端在好转，下一季度营收预计环比恢复。

美光前期发布FY23Q2业绩报告，季度营收同环比下降，创下较大季度亏损，不过预期后续需求端在好转。美光表示，数据中心客户库存已经达到相对健康的水平，并观察到PC客户库存已显著改善;大多数工业客户的库存开始趋于稳定，预计下半财年需求将改善。

展望下个季度，美光预期营收环比恢复增长，毛利率降幅收窄。在产能方面，美光已进一步减少DRAM和NAND产能，目前已经减产约25%，裁员规模从10%提高到接近15%。同时，美光大幅削减2023财年的资本支出计划，同比减少超过40%至70亿美元。

国产存储芯片扩产逐步推进。

目前国内的DRAM存储芯片制造商主要是长鑫存储等，而NANDFlash存储芯片制造商主要是长江存储等。

近日，国家集成电路产业投资基金二期入股长江存储，持股比例12.2%，认缴出资额达到129亿元人民币。大基金二期的入股预计将增强长存后续的资本实力，帮助其后续扩产。长鑫存储二期的研发楼近期招标装修工程，预计后续其二期建设也将逐步推进。

风险提示：

技术迭代不及预期、行业竞争加剧、需求不及预期风险。